Maschinen & Prozesse. Um elektronische Innovationen zu skalieren.

Unsere leistungsstarke Tool- und Prozessübersicht: Überzeugen Sie sich selbst von unseren hochmodernen Reinraum‑Werkzeugen, präzisen Nanofabrikationsprozessen und effizient abgestimmten Prozessketten. Mit unserem Fachwissen und unserer Infrastruktur schaffen wir die Basis, damit Ihre Idee technisch umsetzbar und schnell skalierbar wird.

Ätzen

Plasma Etching

AMAT Centura (MxP+-Kammer)

Die Plasmaätzanlage AMAT Centura besitzt zwei dunkle Sichtfenster und einen Monitor mit schematischer Prozessanzeige.
Siliziumoxid-Ätzung:

Anisotropes Trockenätzen von Siliziumoxid-Schichten mit Dicken bis zu 5 µm auf 150 mm Wafern mit Reactive-Ion-Etching-Prozessen (RIE).

Siliziumnitrid-Ätzung:

Anisotropes Trockenätzen von Siliziumnitrid-Schichten mit Dicken bis zu 3 µm auf 150 mm Wafern mit Reactive-Ion-Etching-Prozessen (RIE).

STS Pegasus

Am Bedienfeld der STS Pegasus steuert ein Bildschirm die Hochraten-Siliziumätzung von 150-mm-Wafern im Bosch-Verfahren.

Hochraten Silizium-Ätzung:

Hochraten-Trockenätzen von Silizium auf 150 mm Wafern mit dem Bosch-Prozess (Deep Reactive-Ion-Etching-Prozessen (DRIE), mögliche Strukturgrößen von Strukturen unter 100 nm bis mehrere 100 µm, erzielbare Aspektverhältnisse von bis zu 50:1.

SPTS OMEGA Ätzer

Im Reinraum steht der SPTS OMEGA Ätzer mit Metallgehäuse und Bedienmonitor für anisotropes Trockenätzen von Wafern.
Siliziumoxid-Ätzung:

Anisotropes Trockenätzen von Siliziumoxid-Schichten auf 150 mm Wafern mit Reactive-Ion-Etching-Prozessen (RIE).

Siliziumnitrid-Ätzung:

Anisotropes Trockenätzen von Siliziumnitrid-Schichten auf 150 mm Wafern mit Reactive-Ion-Etching-Prozessen (RIE).

Plasmatherm Clusterätzer

Im Reinraum zeigt ein Bedienmonitor die Steuerung des Plasmatherm-Clusterätzers für trockenchemische Fotomaskenätzung.
Trockenchemische Ätzung von Fotomasken:
Anisotropes Trockenätzen von Chrom-Schichten mit Dicken bis zu 250 nm auf 6" Fotomasken mit einer Cl2/O2-basierter Ätzchemie.
Trockenchemische Ätzung von Fotomasken:

Anisotropes Trockenätzen von Quarz-Substraten mit Ätztiefen von bis zu 1000 nm auf 6" Fotomasken mittels fluorbasierter Ätzchemie.

Oxford Instruments Cluster-Ätzer

Monitor und Tastatur stehen neben den geschlossenen Prozesskammern des Oxford-Instruments-Clusterätzers für Trockenätzen.

Cryo-Silizium-Ätzung:

Anisotropes Trockenätzen von Silizium bei tiefen Temperaturen auf 150 und 200 mm Wafern. Mögliche Strukturgrößen von unter 100 nm bis 10 µm mit glatten Seitenwänden und begrenzt einstellbarem Seitenwinkel.

Aluminium-Ätzung:

Anisotropes Trockenätzen von Aluminiumschichten (Al, AlSi, AlN) mit Dicken bis zu 3,5 µm auf 150 mm Wafern mit Reactive Ion Etching (RIE) Prozessen.

Oxford Instruments Cluster-Ätzer

Monitor und Tastatur stehen neben den geschlossenen Prozesskammern des Oxford-Instruments-Clusterätzers für Trockenätzen.

Titan/Titannitrid-Ätzung:

Anisotropes Trockenätzen von Titan- und Titannitridschichten mit Dicken bis 200 nm auf 150 mm Wafern mit Reactive Ion Etching (RIE) Prozessen; Ätzung erfolgt in Oxford Plasma Pro 100.

Siliziumnitrid-Ätzung:

Anisotropes Trockenätzen von Siliziumnitrid-Schichten mit Dicken bis zu 1 µm auf 150 mm Wafern mit Reactive Ion Etching (RIE) Prozessen.

Silizium-Ätzung:

Hochraten-Trockenätzen von Silizium auf 150 mm Wafern mit dem Bosch-Prozess (Deep Reactive Ion-Etching, DRIE), mögliche Strukturgrößen von 2 µm Strukturen bis mehrere 100 µm, erzielbare Aspektverhältnisse von 100:1.

Oxford Instruments Astrea PlasmaPro 1000

Ein Oxford Instruments Astrea PlasmaPro-Ätzsystem mit großer Prozesskammer und Bedienanzeigen steht in einem Reinraum.

Trockenchemische Ätzung von Quarzwafern und Fotomasken:

Anisotropes Trockenätzen von Chrom-Schichten mit Dicken von 40 nm bis 100 nm auf 150, 200 und 300 mm Quarz-Wafern oder 6" und 9" Fotomasken mit einer Cl2-O2 Chemie.

Trockenchemische Ätzung von Quarzwafern und Fotomasken:

Anisotropes Trockenätzen von Quarz-Schichten auf 150, 200 und 300 mm Quarz-Wafern oder 6" und 9" Fotomasken-Substraten mittels fluorbasierter Ätzchemie.

Plasmatherm Maskenätzer

Im Reinraum steht die Oxford Instruments Astrea PlasmaPro 1000 mit Bedienmonitor und Edelstahlkammer für Trockenätzprozesse.

Trockenchemische Ätzung von Quarzwafern und Fotomasken:

Anisotropes Trockenätzen von Chrom-Schichten mit Dicken bis zu 250 nm auf 150, 200 und 300 mm Quarz-Wafern oder 6" und 9" Fotomasken sowie spezielle Quarzsubstrate bis zu 12" mit einer Cl2/O2-basierter Ätzchemie.

Trockenchemische Ätzung von Quarzwafern und Fotomasken:

Anisotropes Trockenätzen von Quarz- oder MoSi-Schichten auf 150, 200 und 300 mm Quarz-Wafern oder 6" und 9" Fotomasken sowie spezielle Quarzsubstrate bis zu 12" mittels fluorbasierter Ätzchemie.

Gas Etching

Primaxx HF-Ätzer

In einem Reinraum steht ein PRIMAXX HF-Ätzsystem mit Bedienmonitor, Tastatur und Waferbehältern für die Trockenätzung.
Isotropes Trockenätzen:

Isotropes Ätzen von vergrabenen dielektrischen Schichten und dielektrischen Maskierschichten auf 150 und 200 mm Siliziumwafern mit nahezu unendlich hoher Selektivität zu allen gängigen CMOS-Metallen.

Wet Etching and Cleaning

DiLab KOH-Bank

Eine KOH-Ätzbank im Reinraum besitzt eine transparente Schutzscheibe, ein Bedienfeld mit Tasten und mehrere Hinweisschilder.
Naßchemisches Ätzen:

Ätzung von Poly-Silizium und Siliziumoxid auf 150 und 200 mm Wafern.

Ramgraber SAT

Ein Bedienmonitor, runde Prozesskammer und Bedienelemente kennzeichnen die weiße Ramgraber-Nassbank im Reinraum.

Naßchemisches Ätzen:

Ätzung von Chrom auf 150, 200 und 300 mm Wafern.

LPW Digestorium Anorganic (Add-On Labor)

Weiße LPW-Nassbank zur anorganischen Reinigung von 150-mm-Wafern mit Edelmetallen, mit Bedienfeldern und Spülbereich.
Anorganische Reinigung:

Reinigung von 150 mm Wafern mit Edelmetallen.

LPW Digestorium Lift-off (Add-On Labor)

In der LPW Digestorium-Anlage werden 150-mm-Wafer mit Edelmetallen gereinigt und für Lift-off-Prozesse vorbereitet.

Organische Reinigung:

Reinigung und Lift-off-Prozesse von 150 mm Wafern mit Edelmetallen.

LPW Digestorium Organic (Add-On Labor)

Die Edelstahl-Nassbank zeigt Bedienfeld, Warnsymbole und Behälter; verarbeitet werden 150-mm-Wafer mit Edelmetallen.
Organische Reinigung:

Reinigung von 150 mm Wafern mit Edelmetallen.

Ramgraber Nassbank 4.1 (Anorganik)

Geschlossene Nassbank mit Bedienfeldern und Warnzeichen; gereinigt werden metallbeschichtete 150- und 200-mm-Wafer.

Anorganische Reinigung:

Reinigung von 150 und 200 mm Wafern mit metallischen Schichten.

Ramgraber Nassbank 4.2 (Organik)

Die Ramgraber-Nassbank zeigt geschlossene Arbeitskammern und Bedienfelder für die Reinigung und das Liftoff von Wafern.
Anorganische Reinigung:

Reinigung und Liftoff-Prozesse von 150 und 200 mm Wafern.

Ramgraber Nassbank 4.3 (Organik)

Eine Ramgraber-Nassbank mit Sichtfenstern und Bedienfeld dient der organischen Reinigung und Liftoff-Prozessen von Wafern.

Organische Reinigung:

Reinigung und Liftoff-Prozesse von 150 und 200 mm Wafern mit metallischen Schichten.

Ramgraber Automat 1.0

In einem Reinraum steht eine lange, weiße Ramgraber-Nassbank mit geschlossenen Arbeitsstationen und mehreren Waferbecken.
Anorganische Reinigung:

Metallfreie Reinigung von 150 und 200 mm Wafern.