Maschinen & Prozesse. Um elektronische Innovationen zu skalieren.

Unsere leistungsstarke Tool- und Prozessübersicht: Überzeugen Sie sich selbst von unseren hochmodernen Reinraum‑Werkzeugen, präzisen Nanofabrikationsprozessen und effizient abgestimmten Prozessketten. Mit unserem Fachwissen und unserer Infrastruktur schaffen wir die Basis, damit Ihre Idee technisch umsetzbar und schnell skalierbar wird.

Ofenprozesse

Centrotherm E1550 Horizontalöfen

Dry or wet oxidation

In einer verglasten Reinraumkabine steht ein Horizontalofen Centrotherm E1550 mit Bedienpult und roten Waferträgern.

Oxidation:

Herstellung von Oxidschichten mit Dicken zwischen 7 nm und 3 µm auf 100, 150 und 200 mm Siliziumwafern.

Diffusion

Metallische Waferhalterungen und Prozessmodule im centrotherm-Ofen dienen der Diffusion von Siliziumwafern.

Diffusion:

Ausheilen von Implantationsschäden und Eintreiben von Dotierstoffen in 100, 150 und 200 mm Siliziumwafern unter Stickstoff oder in oxidierender Atmosphäre.

Doping

Der Centrotherm E1550 Horizontalofen zeigt Prozessrohre und Waferhalter für Oxidation, Diffusion und POCl₃-Dotierung.

POCl3-Belegung

Phosphordotierung von einkristallinem und polykristallinem Silizium durch Erzeugung eines Phosphorglases auf 100, 150 und 200 mm Siliziumwafern.

LPCVD

Der Edelstahl-Innenraum des Centrotherm E1550 zeigt Führungsschienen und Halterungen der LPCVD-Ofenanlage.

Siliziumoxidabscheidung:

TEOS-LPCVD-Abscheidung (Low-Pressure Chemical Vapour Deposition) von Siliziumoxidschichten mit Dicken zwischen 50 nm und 500 nm auf 150 und 200 mm Siliziumwafern.

Siliziumnitridabscheidung:

LPCVD-Abscheidung (Low-Pressure Chemical Vapour Deposition) Siliziumnitridschichten mit Dicken zwischen 50 nm und 500 nm auf 150 und 200 mm Siliziumwafern.

Polysiliziumabscheidung:

Abscheidung von undotierten LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapour Deposition) Polysiliziumschichten mit Dicken zwischen 70 nm und 1000 nm auf 150 und 200 mm Siliziumwafern.