Maschinen & Prozesse. Um elektronische Innovationen zu skalieren.

Unsere leistungsstarke Tool- und Prozessübersicht: Überzeugen Sie sich selbst von unseren hochmodernen Reinraum‑Werkzeugen, präzisen Nanofabrikationsprozessen und effizient abgestimmten Prozessketten. Mit unserem Fachwissen und unserer Infrastruktur schaffen wir die Basis, damit Ihre Idee technisch umsetzbar und schnell skalierbar wird.

Prozessbeschreibung Chipmontage

Aufdampfen

SYRUS LC-3

Eine SYRUS LC-3-Anlage von Leybold Optics mit rundem Sichtfenster, Bedienmonitor und Tastatur steht im Reinraum.
Metalle: Al, Ti, Cr, Pt, Ag, Au
Au-Quelle ist immer in der Kammer vorhanden, die anderen Quellen müssen je nach Bedarf bestückt werden. Es ist möglich immer nur max. 4 Quellen zu bestücken.

Ionenätzung: Ar, O²
Substrat Größe: 3x6"-, 3x8" und 12x4" Wafer, 1x 6"x6" Quarzsubstrat.

Sägen

DISCO DAD3650

In einem Reinraum steht die Wafer-Säge DISCO DAD3650 mit Bedienbildschirm, Tasten und angeschlossenen Schläuchen.
Substrate: Si, Quarz, LiNbO3, Fr4, Au beschichtete Wafer ausgeschlossen!
Substratgröße: bis 8" Wafer, einzelne Dies
Schnittbreite: je nach Bedarf und Material, min. 30µm
Schnitttiefe: max.: 1,5mm
Schnittmöglichkeiten:
Standard X-, Y-Richtung, Rundsägen von 8 " runter auf 3"
Substratreinigung mit von Hochdruckreiniger DISCO DCS 1440 möglich.

Rückdünnen

Disco DAG810

Die DISCO DAG 810 schleift Siliziumwafer bis acht Zoll und dünnt einzelne Chips für die Chipmontage präzise zurück.
Substrate: Si
Substratgröße: bis 8", Einzelchip Rückdünnung möglich
Oberflächen Qualität: extra grob, grob, fein (Schleifkörnung Abstufung)
Spezialität: Taiko-, DBG (Dicing Before Grinding) Verfahren
Max. Substratstärke: 1,5mm
Schleifen auf min. Substratstärke: 30µm
• Substratreinigung mit von Hochdruckreiniger DISCO DCS 1440 möglich.

Wirebonden

Delvotec G5

Bei der Drahtbondung setzt ein Delvotec G5 feine Bonddrähte auf einen Chipträger mit goldfarbenen Anschlusskontakten.
Arbeitsfläche: 100x100mm
Bonddraht: AlSi-M 18µm u. 25µm, (optional ist ein Umbau auf Au-Bonddraht 25µm möglich ist aber sehr aufwendig)
Bondoberfläche: Cr, Al, Enig; Enepig
Open Bondpad min.: ~60µm, Standard 90µm
Open Leadpad min.: 60µm, Standard 90µm
Substrat: Fr4, div. Gehäuse (Keramik, openPacks usw.)

Die-bonden Vollautomat

Amadyne

Die automatische Amadyne-Anlage nimmt Wafer-Dies auf und platziert sie mit ±16 µm Genauigkeit; Klebstoff wird dosiert.
Arbeitsgänge: Eject (max. Wafergröße 8"), Pickup/Place - Genauigkeit +/- 16µm; Kleberauftrag - Dispensen (Muster); Jetten

Die-bonden Halbautomat

TRESKY T-3002-FC3

Zu sehen ist eine halbautomatische TRESKY T-3002-FC3 Bonding-Anlage mit Mikroskop, Arbeitsfläche und großem Monitor.
Arbeitsgänge: Eject; Pickup/Place; Kleberauftrag - Dispensen