Maschinen & Prozesse. Um elektronische Innovationen zu skalieren.

Unsere leistungsstarke Tool- und Prozessübersicht: Überzeugen Sie sich selbst von unseren hochmodernen Reinraum‑Werkzeugen, präzisen Nanofabrikationsprozessen und effizient abgestimmten Prozessketten. Mit unserem Fachwissen und unserer Infrastruktur schaffen wir die Basis, damit Ihre Idee technisch umsetzbar und schnell skalierbar wird.

Charakterisierung von Schichten und Strukturen auf Silizium- und Quarz- Wafern und Masken

Strukturbreite

Hitachi CS4800 CD-SEM

Messen von Strukturen auf Wafern und Masken mit Rasterelektronen-Mikroskopie:

Vollautomatische Messung von Strukturbreiten von 50 nm bis 2 µm mit einer Messgenauigkeit von 1 % auf 150 und 200 mm-Wafern. Sowohl Lack- als auch Ätzstrukturen sind messbar.

Muetec MT 5500

Messen von Strukturen auf Wafern und Masken mit VIS/UV-Mikroskopie:

Vollautomatische Messung von Strukturbreiten auf 150 und 200 mm-Wafern, 6" und 9" Masken, sowie auf Substraten von 300 mm Durchmesser. Sowohl Lack- als auch Ätzstrukturen sind messbar.

Dicken

Promicron MSC Nanocalc

Schichtdickenmessung mit Weißlichtinterferometrie:

Messung dünner Schichten aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Polysilizium und Fotolacken mit Schichtdicken von 50 nm bis mehreren Mikrometern auf 150 und 200 mm Siliziumwafern.

Sentech Senduro

Das Senduro-Ellipsometer misst die Schichtdicke und den Brechungsindex dünner Filme auf Siliziumwafern.

Messung von Schichtdicke und Brechungsindex mit Spektral-Ellipsometrie:

Messung dünner Chromschichten sowie Schichten aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Polysilizium oder Fotolacken mit Dicken von wenigen Nanometern bis zu mehreren Mikrometern auf 100, 150 und 200 mm Siliziumwafern.

Topografie

Park NX20-300 AFM

Messen von Strukturen, Höhenprofilen, und Rauigkeiten mit Rasterkraft-Mikroskopie (AFM):

Charakterisierung der Oberflächentopographie auf beliebigen Substraten bis 300 mm Durchmesser und bis 25 mm Dicke (Wafer, Masken, Bruchstücke, Chips), sowohl Lack als auch geätzte Strukturen messbar (leitfähig sowie isolierend). Laterale Auflösung << 1 nm, stark abhängig von Struktur-Geometrie. Höhenunterschiede von < 0,1 nm bis maximal 15 µm messbar. Genauigkeit der Kalibration 3%. Auflösung der Seitenwandprofile bei Aspektverhältnis < 5:1.

Bruker (Veeco) DEKTAK 8

Ein taktiles Profilometer erfasst Waferverbiegungen am Bruker DEKTAK XT mit 1 nm vertikaler Auflösung.

Messung von Höhenprofilen:

Messung der Verbiegung von Wafern und Messung von Höhenunterschieden auf 100, 150 und 200 mm Wafern sowie auf Proben verschiedener Größe bis zu 200 mm Durchmesser mit taktilem Profilometer mit einer vertikalen Auflösung von 1 nm und einer horizontalen Auflösung < 5 µm.

Bruker (Veeco) DEKTAK XT

Ein taktiles Bruker-Profilometer erfasst Höhenprofile und Waferverbiegungen an Siliziumwafern mit 1 nm vertikaler Auflösung.

Messung von Höhenprofilen:

Polytec TMS-2400 TopMap MicroView

Blaues Polytec-Messgerät mit der Kennzeichnung TopMap Micro.View+ zur mikroskopbasierten Erfassung von 3D-Höhenprofilen.

Messung von Höhenprofilen:

Mikroskopbasierte 3D-Oberflächenprofilmessgeräte

Partikel

Takano WM-7SR

Defektmessung (Light Point Defects, LPD) auf Wafern:

Messung von lichtstreuenden Defekten (Light Point Defects, LPD) mit einer Größe > 0,1 µm auf 100, 150 mm und 200 mm Si-Wafern. Messungen erfolgen kontaktlos auf unstrukturierten Wafern.

Topcon WM-7

Das Topcon-Gerät WM-7 misst lichtstreuende Defekte über 0,1 µm kontaktlos auf Siliziumwafern mit 150 und 200 mm Durchmesser.

Defektmessung (Light Point Defects, LPD) auf Wafern:

Messung von lichtstreuenden Defekten (Light Point Defects, LPD) mit einer Größe > 0,1 µm auf 150 und 200 mm Si-Wafern. Messungen erfolgen kontaktlos auf unstrukturierten Wafern.

Elektrisch

MPI TS2000HP (Waferprober)

Elektrische Charakterisierung:

Waferprober zur Bestimmung elektrischer Parameter für 150 und 200 mm Wafer.

Visualisierung

Zeiss Leo 1560 SEM

Charakterisieren von Strukturen auf Wafern und Masken mit Rasterelektronen-Mikroskopie:

Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop (FE-REM) Zeiss LEO-1560 zur Darstellung von Proben mit einer Auflösung von bis zu 2 nm abhängig von Messbedingungen und Probe, große Probenkammer für Wafer bis zu 150 mm Durchmesser.

Zeiss Ultra 60 SEM

Wafer- und Maskenstrukturen untersucht ein Zeiss Ultra 60 Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop mit bis zu 2 nm Auflösung.

Charakterisieren von Strukturen auf Wafern und Masken mit Rasterelektronen-Mikroskopie:

Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop (FE-REM) Zeiss Ultra 60 zur Darstellung von Proben mit einer Auflösung von bis zu 2 nm, abhängig von Messbedingungen und Probe, große Probenkammer für Wafer bis zu 150 mm Durchmesser mit zusätzlichen Detektoren, wie EsB, AsB und einem energiedispersiven Röntgendetektor(EDX) Bruker XFlash 4010 zur Untersuchung von Proben auf ihre chemische Zusammensetzung.

Schichteigenschaften

Four Dimensions 280Si

Ein weißes Polytec-Messgerät zeigt einen roten Messwert; daneben stehen ein Dell-Monitor und eine Tastatur am Prüfplatz.

Charakterisieren metallischer Schichten auf Wafern:

Messung des Schichtwiderstands auf 150 mm Wafern

Semilab WT-2000

Das SENTECH-SENDURO-Messgerät mit hellem Gehäuse und dunkelblauem Sockel charakterisiert dünne dielektrische Schichten.

Charakterisieren dünner dielektrischer Schichten auf Wafern:

Messung der Minoritätsladungsträgerlebensdauer mittels µ-PCD Technik auf passivierten Si- Wafern bis zu einer Größe von 200 mm zur Charakterisierung der Si-Wafer sowie der Grenzschicht hinsichtlich Verunreinigungen und Defekten. Fortgeschrittene Charakterisierung dünner Dielektrika sowie deren Grenzschicht mittels V-Q Messtechnik (Flachbandspannung Vfb, density interface traps Dit, Tunnelfeldstärke ETunnel, elektrische Oxiddicke Tox, mobile Ladung Qm).